2024年9月16日 - 信報
中國工信部近日披露，國內研發出首台國產深紫外光（DUV）光刻機。其官網日前公布的「首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）」，記載國內實現重大技術突破、擁有智識產權，惟尚未取得明顯市場業績的裝備產品。目錄當中，包括一項國產「氟化氬光刻機」及一項「氟化氪光刻機」，兩者均屬於DUV光刻機類別。
當中「氟化氬光刻機」核心技術指標，包括300毫米晶圓直徑、193納米照明波長、65納米以下分辨率，以及8納米以下套刻能力。內地媒體指套刻精度為「多重曝光能達到的最高精度」，按套刻精度與量產工藝大約1：3的關係，料這光刻機大概可以量產28納米工藝晶片，大致相當於20年前荷蘭艾司摩爾（ASML）工藝。報道指，28納米是晶片中低端和中高端的分界線。
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