國產碳化矽功率器件，天宮成功驗證助探月

2025年2月4日 - 信報

綜合內媒報道，由中國科學院微電子研究所研發以碳化矽（SiC）作為第三代半導體材料製造的功率器件，早前搭乘天舟八號貨運飛船飛抵中國太空站，並在太空成功驗證，有望逐步提升航天數碼電源功率，支撐未來單電源模組達到千瓦級，為未來中國探月工程、載人登月、深空探測等領域提供可供選擇的新一代功率器件。

第三代半導體亦是5G、電動車、快速充電、雷達等重要關鍵元件。該研究所研究員劉新宇解釋，SiC以其禁帶寬度（Band gap）大、擊穿場強度、飽和電子速度快等優勢，可大幅提高太空電源的傳輸功率和能源轉換效率，簡化散熱裝置，降低發射成本或增加裝載容量，功率與體積比提高近5倍，滿足太空電源系統高能效、小型化和輕量化需求。

原文：

https://www1.hkej.com/dailynews/cntw/article/3990759/%E5%9C%8B%E7%94%A2%E7%A2%B3%E5%8C%96%E7%9F%BD%E5%8A%9F%E7%8E%87%E5%99%A8%E4%BB%B6++%E5%A4%A9%E5%AE%AE%E6%88%90%E5%8A%9F%E9%A9%97%E8%AD%89%E5%8A%A9%E6%8E%A2%E6%9C%88